STW20NK50Z

Symbol Micros: TSTW20NK50z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 270mOhm; 20A; 190W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 270mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 190W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STW20NK50Z RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
65 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 10,7500 8,2600 7,1800 6,8000 6,7200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/300
Rezystancja otwartego kanału: 270mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 190W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT