D45H8G

Symbol Micros: TD45H8G
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor PNP; 60; 2W; 60V; 10A; 40MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: D45H8G RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,6300 2,2800 1,7900 1,6900 1,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP