BSP62

Symbol Micros: TBSP62
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor PNP; 2000; 1,5W; 80V; 1A; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP62,115; BSP62H6327XTSA1; BSP62.115; BSP62H6327TR; BSP 62 H6327; BSP 62 H6327 TR; BSP62H6327XTSA1;
Parametry
Moc strat: 1,5W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 2000
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: NXP Symbol producenta: BSP62,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r  
Stan magazynowy:
7 szt.
ilość szt. 2+ 5+ 20+ 80+ 400+
cena netto (PLN) 2,7100 2,0200 1,5000 1,2800 1,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20/80
Moc strat: 1,5W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 2000
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP