SI4403BDY

Symbol Micros: TSI4403bdy
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 7,3A; 1,35W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 32mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,3A
Maksymalna tracona moc: 1,35W
Obudowa: SOP08
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: SI4403BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,5100 1,5900 1,2500 1,1400 1,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: Siliconix Symbol producenta: SI4403BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,6700 1,6700 1,3900 1,2400 1,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 32mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,3A
Maksymalna tracona moc: 1,35W
Obudowa: SOP08
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD