SI4403BDY
Symbol Micros:
TSI4403bdy
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 7,3A; 1,35W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 32mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 7,3A |
Maksymalna tracona moc: | 1,35W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI4403BDY RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,5100 | 1,5900 | 1,2500 | 1,1400 | 1,0900 |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SI4403BDY RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,6700 | 1,6700 | 1,3900 | 1,2400 | 1,1600 |
Rezystancja otwartego kanału: | 32mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 7,3A |
Maksymalna tracona moc: | 1,35W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |