BF820

Symbol Micros: TBF820
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 50; 250mW; 300V; 50mA; 60MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Częstotliwość graniczna: 60MHz
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 50mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Producent: NXP Symbol producenta: BF820 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1450 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8960 0,4540 0,2750 0,2180 0,1990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Częstotliwość graniczna: 60MHz
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 50mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN