FDV304P
Symbol Micros:
TFDV304p
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 25V; 8V; 2Ohm; 460mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; FDV 304 P;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 460mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDV304P RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
13609 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1600 | 0,6390 | 0,4250 | 0,3540 | 0,3300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 460mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
FDV304P UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV304P Onsemi;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
FDV304P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)