BSC123N08NS3 G

Symbol Micros: TBSC123n08ns3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 24mOhm; 55A; 66W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC123N08NS3GATMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 24mOhm
Maksymalny prąd drenu: 55A
Maksymalna tracona moc: 66W
Obudowa: TDSON08
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 24mOhm
Maksymalny prąd drenu: 55A
Maksymalna tracona moc: 66W
Obudowa: TDSON08
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD