BSC123N08NS3 G
Symbol Micros:
TBSC123n08ns3
Obudowa: TDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 24mOhm; 55A; 66W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC123N08NS3GATMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 24mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 55A |
Maksymalna tracona moc: | 66W |
Obudowa: | TDSON08 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 24mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 55A |
Maksymalna tracona moc: | 66W |
Obudowa: | TDSON08 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |