FQA32N20C
Symbol Micros:
TFQA32n20c
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 82mOhm; 32A; 204W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 82mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 32A |
Maksymalna tracona moc: | 204W |
Obudowa: | TO 3P |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FQA32N20C RoHS
Obudowa dokładna: TO 3P
Stan magazynowy:
55 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 5,6600 | 3,9600 | 3,2600 | 3,0300 | 2,9800 |
Rezystancja otwartego kanału: | 82mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 32A |
Maksymalna tracona moc: | 204W |
Obudowa: | TO 3P |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |