FQP33N10
Symbol Micros:
TFQP33n10
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 52mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 33A |
Maksymalna tracona moc: | 127W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Fairchild |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP33N10 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,4400 | 4,9200 | 4,0700 | 3,5700 | 3,3900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 52mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 33A |
Maksymalna tracona moc: | 127W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Fairchild |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |