FQP33N10

Symbol Micros: TFQP33n10
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 52mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 127W
Obudowa: TO220
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQP33N10 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,4400 4,9200 4,0700 3,5700 3,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 52mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 127W
Obudowa: TO220
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT