IPP60R190C6
Symbol Micros:
TIPP60r190c6
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPP06R190C6XKSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 440mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 151W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 440mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 151W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |