IRFI4227PBF

Symbol Micros: TIRFI4227
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 25mOhm; 26A; 46W; -40°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 25mOhm
Maksymalny prąd drenu: 26A
Maksymalna tracona moc: 46W
Obudowa: TO220iso
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFI4227 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
36 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 20+ 50+
cena netto (PLN) 6,9200 5,4300 4,5800 4,3000 4,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFI4227 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
38 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 20+ 38+
cena netto (PLN) 6,9200 5,4000 4,5300 4,2500 4,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
38
Rezystancja otwartego kanału: 25mOhm
Maksymalny prąd drenu: 26A
Maksymalna tracona moc: 46W
Obudowa: TO220iso
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C
Montaż: THT