IRFI1310N

Symbol Micros: TIRFI1310n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 24A; 56W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFI1310NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 36mOhm
Maksymalny prąd drenu: 24A
Maksymalna tracona moc: 56W
Obudowa: TO220iso
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFI1310N RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 5,1900 3,9300 3,2300 2,9100 2,7300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 36mOhm
Maksymalny prąd drenu: 24A
Maksymalna tracona moc: 56W
Obudowa: TO220iso
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT