IRFI4019H-117P TO220/5Qiso

Symbol Micros: TIRFI4019h-117p
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220/5Q iso
Tranzystor 2xN-MOSFET; 150V; 20V; 95mOhm; 8,7A; 18W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFI4019HG-117P;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 95mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,7A
Maksymalna tracona moc: 18W
Obudowa: TO220/5Q iso
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFI4019H-117P RoHS Obudowa dokładna: TO220/5Q iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
ilość szt. 1+ 2+ 5+ 10+ 26+
cena netto (PLN) 9,3000 7,9600 6,8300 6,2900 5,8100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
26
Rezystancja otwartego kanału: 95mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,7A
Maksymalna tracona moc: 18W
Obudowa: TO220/5Q iso
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT