MJF44H11G

Symbol Micros: TMJF44h11g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 60; 2W; 80V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220iso
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJF44H11G RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,8900 4,5000 3,7200 3,2600 3,1000
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów Sposób pakowania:
50
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220iso
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta