2SC5198-O(Q,T)

Symbol Micros: T2SC5198
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: 2-16C1A
Tranzystor NPN; 160; 100W; 140V; 10A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SA1941-O;
Parametry
Moc strat: 100W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 160
Częstotliwość graniczna: 30MHz
Producent: Toshiba
Obudowa: 2-16C1A
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 140V
Producent: Toshiba Symbol producenta: 2SC5198-O(S1,E,S) RoHS Obudowa dokładna: 2-16C1A karta katalogowa
Stan magazynowy:
41 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,3000 6,1500 5,3000 5,0000 4,8800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/850
Moc strat: 100W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 160
Częstotliwość graniczna: 30MHz
Producent: Toshiba
Obudowa: 2-16C1A
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 140V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN