IRFP4668
Symbol Micros:
TIRFP4668
Obudowa: TO247AC
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 9,7mOhm; 130A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4668PBF; IRFP4668PBFXKMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 9,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130A |
| Maksymalna tracona moc: | 520W |
| Obudowa: | TO247AC |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFP4668PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO247AC
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 20,9200 | 17,9800 | 16,7200 | 16,2300 | 16,0900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 9,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130A |
| Maksymalna tracona moc: | 520W |
| Obudowa: | TO247AC |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |