IRFB7430 TO220AB

Symbol Micros: TIRFB7430
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 1,3mOhm; 409A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB7430PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 409A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO220AB
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFB7430 RoHS Obudowa dokładna: TO220AB karta katalogowa
Stan magazynowy:
540 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 17,3700 14,7100 13,1000 12,0700 11,6600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/550
Rezystancja otwartego kanału: 1,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 409A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO220AB
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT