BC846PN

Symbol Micros: TBC846pn
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN/PNP; 450; 250mW; 65V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846PNH6327; BC846PNH6327XTSA1;
Parametry
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: Infineon Symbol producenta: BC846PNH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5720 0,2630 0,1430 0,1070 0,0954
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: BC846PNH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2885 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2885+
cena netto (PLN) 0,5700 0,2610 0,1420 0,1060 0,0950
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów Sposób pakowania:
2885
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN/PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta