TLP291 SOIC04    TLP291(TP,SE(T

Symbol Micros: OOTLP291
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOIC04
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 100-600% Vce 80V Uiso 3,75kV Transistor TLP291(E(O; TLP291-E-O; TLP291(TP,E(O; TLP291(GB,E(O; TLP291(GB-TP,E(O; TLP291(GR,SE(T; TLP291-GR.SE-T; T&R TLP291GB-TP.SE; CYTLP291(GB-TP); TLP291-GB-TP.E-O; TLP291(GB-TP.E(O;
Parametry
CTR: 100-600%
Obudowa: SOIC04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V
Producent: Toshiba Symbol producenta: TLP291(GB-TP,SE RoHS Obudowa dokładna: SOP04 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
85 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,6600 0,9230 0,7280 0,6610 0,6400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Producent: Toshiba Symbol producenta: TLP291(GB-TP,SE(T RoHS Obudowa dokładna: SOIC04t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,6600 0,9230 0,7280 0,6610 0,6400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
CTR: 100-600%
Obudowa: SOIC04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta