STF3NK80Z

Symbol Micros: TSTF3nk80z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 25W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 25W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STF3NK80Z RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
49 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,3100 3,1600 2,5300 2,1700 2,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 4,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 25W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT