MPSA42 LGE

Symbol Micros: TMPSA42 LGE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor NPN; 40; 625mW; 305V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; podobny do : MPSA42-DIO;
Parametry
Moc strat: 625mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 305V
Producent: LGE Symbol producenta: MPSA42 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul karta katalogowa
Stan magazynowy:
1840 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,5630 0,2150 0,1210 0,1000 0,0939
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/5000
Producent: HOTTECH Symbol producenta: MPSA42 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul  
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,5630 0,2150 0,1210 0,1000 0,0939
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 625mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Producent: LGE
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 305V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN