FDB33N25TM
Symbol Micros:
TFDB33N25TM
Obudowa: D2PAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 94mOhm; 33A; 235W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 94mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33A |
| Maksymalna tracona moc: | 235W |
| Obudowa: | D2PAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB33N25TM RoHS
Obudowa dokładna: D2PAK t/r
Stan magazynowy:
85 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,5600 | 4,5900 | 3,9000 | 3,5700 | 3,4500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 94mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33A |
| Maksymalna tracona moc: | 235W |
| Obudowa: | D2PAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |