FDC6312P

Symbol Micros: TFDC6312P
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TSOT23-6
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 8V; 225mOhm; 2,3A; 960mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 225mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,3A
Maksymalna tracona moc: 960mW
Obudowa: TSOT23-6
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xP-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 225mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,3A
Maksymalna tracona moc: 960mW
Obudowa: TSOT23-6
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xP-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD