AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Symbol Micros:
TAP9997gk-hf-3
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 3,2A; 2,8W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |