AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP9971gh-hf-3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 25A; 39W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 25A
Maksymalna tracona moc: 39W
Obudowa: TO252
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP9971GH-HF-3 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r  
Stan magazynowy:
240 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,0700 1,2500 0,9530 0,8570 0,8280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 25A
Maksymalna tracona moc: 39W
Obudowa: TO252
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD