AP2306GN-HF-3

Name: TAP2306gn-hf-3
Brand: Advanced Power Electronics Corp.
SKU: 50
Price: 0.309000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TAP2306gn-hf-3

Obudowa: SOT23

rys. techniczny Dodaj do ulubionych

Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,3A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; AP2306GN-HF; AP2309GN-HF-3TR; AP2306GN; AP2306GN-HF-3; AP2309GN-VB;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	50mOhm
Maksymalny prąd drenu:	5,3A
Maksymalna tracona moc:	1,38W
Obudowa:	SOT23
Producent:	Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło:	20V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP2306GN-HF-3 Pbf N6.. Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

50 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	1,0800	0,5980	0,3980	0,3320	0,3090

Dodaj do porównywarki

Sposób pakowania:
500 Ilość (wielokrotność: 1)

Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP2306GN-HF-3 RoHS N6.. Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

3000 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	1,0800	0,5980	0,3980	0,3320	0,3090

Dodaj do porównywarki

Sposób pakowania:
3000/21000 Ilość (wielokrotność: 1)

Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP2306GN-HF-3TR RoHS N6.. Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

51000 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	1,0800	0,5980	0,3980	0,3320	0,3090

Dodaj do porównywarki

Sposób pakowania:
3000 Ilość (wielokrotność: 1)

Rezystancja otwartego kanału:	50mOhm
Maksymalny prąd drenu:	5,3A
Maksymalna tracona moc:	1,38W
Obudowa:	SOT23
Producent:	Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło:	20V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	12V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD