MBT3946DW1T1G ON Semiconductor

Symbol Micros: TMBT3946dw1t1g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-88
Tranzystor NPN/PNP; 300; 150mW; 40V; 200mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 150mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MBT3946DW1T1G RoHS Obudowa dokładna: SC-88 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
230 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,7040 0,3330 0,1860 0,1410 0,1280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Moc strat: 150mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN/PNP