TP2510N8-G Microchip Tech
Symbol Micros:
TTP2510n8
Obudowa: SOT89
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 7Ohm; 480mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 480mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1,6W |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | MICROCHIP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Microchip
Symbol producenta: TP2510N8-G RoHS
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
Stan magazynowy:
2 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,5900 | 5,0300 | 4,1600 | 3,6500 | 3,4700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 480mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1,6W |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | MICROCHIP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |