IRFR3607TRPBF

Symbol Micros: TIRFR3607
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3607TRPBF; IRFR3607PBF-GURT; IRFR3607PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFR3607TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 5,1200 3,4000 2,7200 2,4800 2,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-05-10
Ilość szt.: 110
Rezystancja otwartego kanału: 9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD