SI2304BDS
Symbol Micros:
TSI2304bds
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 105mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,6A |
Maksymalna tracona moc: | 750mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 105mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,6A |
Maksymalna tracona moc: | 750mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |