6N136-300E
Symbol Micros:
OO6N136-300e
Obudowa: PDIP08smd
pojedynczy CTR 19-50% Vce 20V Uiso 3,75kV Transistor with Base 6N136-500E; 6N136300; 6N136-300E;
Parametry
| CTR: | 19-50% |
| Obudowa: | DIP08smd |
| Typ wyjścia: | Transistor with Base |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Napięcie wyjściowe: | 20V |
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-05-10
Ilość szt.: 100
| CTR: | 19-50% |
| Obudowa: | DIP08smd |
| Typ wyjścia: | Transistor with Base |
| Napięcie izolacji: | 3750V |
| Napięcie wyjściowe: | 20V |