BSS123W

Symbol Micros: TBSS123W YY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
100V 200mA 3Ω@10V,200mA 150mW 1.8V@250uA 7pF@50V; N Channel; 32pF@50V;; -55C~+150C; SOT-323 MOSFETs BSS123W-F2-0000HF
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 150mW
Obudowa: SOT323
Producent: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: YY Symbol producenta: BSS123W RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r  
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2910 0,1120 0,0548 0,0435 0,0416
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 150mW
Obudowa: SOT323
Producent: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD