BSS138 SOT23 LGE
Symbol Micros:
TBSS138 LGE
Obudowa: SOT23-3
Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 220mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 220mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |