FDN338P SOT23-3 HUASHUO

Symbol Micros: TFDN338p HUA
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 140mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: SOT23
Producent: Huashuo Semiconductor
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: HUASHUO Symbol producenta: FDN338P RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2191 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2191+
cena netto (PLN) 0,7320 0,3470 0,1940 0,1470 0,1330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2191
Producent: HUASHUO Symbol producenta: FDN338P RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
809 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 150+ 809+ 4045+
cena netto (PLN) 0,7320 0,2920 0,1790 0,1430 0,1330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
809
Rezystancja otwartego kanału: 140mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: SOT23
Producent: Huashuo Semiconductor
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD