IRLML2502 SOT23-3 HUA

Symbol Micros: TIRLML2502 HUA
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 70mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,6A
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: SOT23
Producent: Huashuo Semiconductor
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: HUASHUO Symbol producenta: IRLML2502 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
239 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1101+
cena netto (PLN) 0,9230 0,4630 0,2760 0,2290 0,2050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
239
Producent: HUASHUO Symbol producenta: IRLML2502 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1101 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1101+
cena netto (PLN) 0,9230 0,4630 0,2760 0,2290 0,2050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1101
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-08-10
Ilość szt.: 3000
Rezystancja otwartego kanału: 70mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,6A
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: SOT23
Producent: Huashuo Semiconductor
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD