BC857B
Symbol Micros:
TBC857b c
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Producent: | HOTTECH |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: YFW
Symbol producenta: BC857B RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
15000 szt.
| ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2460 | 0,0920 | 0,0492 | 0,0368 | 0,0339 |
Producent: KINGTRONICS
Symbol producenta: BC857B RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
15000 szt.
| ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2460 | 0,0920 | 0,0492 | 0,0368 | 0,0339 |
| Moc strat: | 200mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Producent: | HOTTECH |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |