BC857C SOT23-3
Symbol Micros:
TBC857c c
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC857C-YAN
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Producent: | Nexperia |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: import
Symbol producenta: BC857C RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
Stan magazynowy:
2540 szt.
| ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2050 | 0,0768 | 0,0411 | 0,0307 | 0,0283 |
Producent: HOTTECH
Symbol producenta: BC857C RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
Stan magazynowy:
12000 szt.
| ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2050 | 0,0768 | 0,0411 | 0,0307 | 0,0283 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-07-10
Ilość szt.: 15000
| Moc strat: | 250mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Producent: | Nexperia |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |