BCX56-16 SOT89 LGE

Symbol Micros: TBCX5616 LGE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
NPN 100nA 80V 1W 1A 100MHz 500mV@500mA,50mA -65°C~150°C@(Tj) SOT-89
Parametry
Moc strat: 1W
Producent: LGE
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 50mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN
Producent: LGE Symbol producenta: BCX56-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2900 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9410 0,4710 0,2810 0,2320 0,2090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 1W
Producent: LGE
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 50mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN