BD243CG TO220 ON

Symbol Micros: TBD243cg ON
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 65W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 6A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BD243CG RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
397 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,2400 4,0000 3,3100 2,9000 2,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/500
Moc strat: 65W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 6A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN