SS8050 SOT23-3 BORN

Symbol Micros: TSS8050 BORN
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 300mW; 25V; 1,5A; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: BORN
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: BORN Symbol producenta: SS8050 RoHS Y1. Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1355 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5390 0,2050 0,1150 0,0925 0,0899
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: BORN
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN