FGH40N65UFDTU
Symbol Micros:
TFGH40N65ufdtu
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
Parametry
| Ładunek bramki: | 120nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 290W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 120A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,0V ~ 6,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Ładunek bramki: | 120nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 290W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 120A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,0V ~ 6,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Napięcie kolektor-emiter: | 650V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | THT |