FGH75T65UPD TO247AB
Symbol Micros:
TFGH75T65upd
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Podobny do : FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155;
Parametry
Ładunek bramki: | 578nC |
Maksymalna moc rozpraszana: | 375W |
Maksymalny prąd kolektora: | 150A |
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 225A |
Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,0V ~ 7,5V |
Obudowa: | TO247 |
Napięcie kolektor-emiter: | 650V |
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-05-07
Ilość szt.: 30
Ładunek bramki: | 578nC |
Maksymalna moc rozpraszana: | 375W |
Maksymalny prąd kolektora: | 150A |
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 225A |
Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,0V ~ 7,5V |
Obudowa: | TO247 |
Napięcie kolektor-emiter: | 650V |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Napięcie bramka-emiter: | 20V |
Montaż: | THT |