HGTG40N60A4

Symbol Micros: THGTG40n60a4
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 300A; 625W; 4,5V~7,0V; 520nC; -55°C~150°C;
Parametry
Ładunek bramki: 520nC
Maksymalna moc rozpraszana: 625W
Maksymalny prąd kolektora: 75A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 300A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,5V ~ 7,0V
Obudowa: TO247
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: HGTG40N60A4 RoHS Obudowa dokładna: TO247  
Stan magazynowy:
19 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 45,7000 39,2700 35,2600 33,1700 31,9600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ładunek bramki: 520nC
Maksymalna moc rozpraszana: 625W
Maksymalny prąd kolektora: 75A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 300A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,5V ~ 7,0V
Obudowa: TO247
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT