2N5886
Symbol Micros:
T2N5886
Obudowa: TO 3
Tranzystor NPN; 100; 200W; 80V; 25A; 4MHz; -65°C ~ 200°C; [Attention: Vcesat 1,4V]
Parametry
Moc strat: | 200W |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
Producent: | Inchange Semiconductors |
Obudowa: | TO 3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 25A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-07-15
Ilość szt.: 100
Moc strat: | 200W |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
Producent: | Inchange Semiconductors |
Obudowa: | TO 3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 25A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 200°C |
Typ tranzystora: | NPN |
Montaż: | THT |