2N7002-T1-E3 VISHAY

Symbol Micros: T2N7002 VIS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 40V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-T1-GE3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 13,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 115mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT23
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: 2N7002-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6200 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8460 0,4290 0,2600 0,2060 0,1880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 13,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 115mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT23
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD