IPN60R2K0PFD7S

Symbol Micros: TIPN60r2k0pfd7s
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 3,825Ohm; 3A; 6W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPN60R2K0PFD7SATMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,825Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 6W
Obudowa: SOT223
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 3,825Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 6W
Obudowa: SOT223
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C
Montaż: SMD