SI3400A-TP

Symbol Micros: TSI3400A-TP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 45mOhm; 5,8A; 1,3W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 45mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,8A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: SOT23-3
Producent: Micro Comercial Components Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Micro Commercial Components Corp. Symbol producenta: SI3400A-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2700 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8100 0,4110 0,2490 0,1970 0,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 45mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,8A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: SOT23-3
Producent: Micro Comercial Components Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD