SSM6N357R,LF(T
Symbol Micros:
TSSM6N357R
Obudowa: TSOP06
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 12V; 2,4Ohm; 650mA; 1W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 650mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | TSOP06 |
| Producent: | Toshiba |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 650mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | TSOP06 |
| Producent: | Toshiba |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |