XPH4R10ANB,L1XHQ
Symbol Micros:
TXPH4R10ANB,L1XHQ
Obudowa: SOP08 Advance (5x5)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6,2mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 70A |
| Maksymalna tracona moc: | 170W |
| Obudowa: | SOP08 Advance (5x5) |
| Producent: | Toshiba |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 70A |
| Maksymalna tracona moc: | 170W |
| Obudowa: | SOP08 Advance (5x5) |
| Producent: | Toshiba |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |