SMP5116

Symbol Micros: TSMP5116
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Transistor JFET 50mA, -40V P-Channel; vDS -15V; Vgs 30V; Gate-Source 4V;
Parametry
Maksymalny prąd drenu: -25mA
Obudowa: SOT23
Producent: InterFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: -15V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Montaż: SMD
Producent: INTERFET Symbol producenta: SMP5116 RoHS Obudowa dokładna: SOT23 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 110+
cena netto (PLN) 17,1900 14,4900 12,8600 12,0500 11,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
110
Maksymalny prąd drenu: -25mA
Obudowa: SOT23
Producent: InterFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: -15V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Montaż: SMD